알고싶은 이야기

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오늘 본문에서는 반도체 재료 분석 방법 중 하나인 FIB가 무엇인지와 적용된 사례들을 케이스 스터디를 통해 알아보겠습니다.   FIB (Focused Ion Beam microscope)란?반도체 재료분석 방법 중 하나인 FIB는 갈륨(Ga)을 금속 이온 소스로 사용하여 금속 및 산화물에 대한 이온 스퍼터링, 증착 및 에칭을 통한 리소그래피에 사용할 수 있는 MEMS에 매우 유용한 도구 중 하나입니다.  FIB는 갈륨(Ga)을 금속 이온 소스로 사용하며 6.98 ×10-38 토르의 극저 증기압은 다양한 진공 환경, 심지어 UHV에도 적합합니다. 이 시스템은 강한 전기장을 추가하여 금속 소스를 녹여 모양을 변형하고 마지막으로 소스는 정점이 Ga 이온 빔을 방출할 수 있을 만큼 날카로운 테일러 콘 모양을 유..

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오늘은 지난 포스팅에 이어 반도체 전기 고장 분석의 또 다른 종류들과 각 분석별 내용에 대해 알아보도록 하겠습니다. 반도체 전기 고장 분석 (EFA)의 기타 종류전기 고장분석의 대표적인 다른 종류들로는 C-AFM, 원자력 현미경(AFM) 기반 나노 프로버 , SEM기반 나노 프로빙, EBIC, EBAC, EBIRCH 가 있습니다.   반도체 전기 고장 분석 (EFA)의 이해각 분석별 내용은 아래와 같습니다.   1) C-AFM : 전도성 원자력 현미경(C-AFM)은 AFM의 기능 중 하나로 뾰족한 끝(프로브)을 가진 마이크로 스케일의 캔틸레버로 구성되어 있으며 나노미터 분해력으로 표면 형태를 얻는 데 사용됩니다. AFM은 게르트 비닝(Gerd Binning)과 하인리히 로러(Heinrich Rohrer)..

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이번 글에서는 반도체 전기 고장 분석 (EFA)의 종류과 개념에 대해 살펴보겠습니다.   반도체 전기 고장 분석 Electrical Failure Analysis (EFA)의 종류 전기 고장 분석(EFA)의 종류로는 전기적 특성, PEM-CCD, PEM-InGaAs, OBIRCH 등이 있습니다.      반도체 전기 고장 분석 Electrical Failure Analysis (EFA)의 개념 1) 전기적 특성 측정 : 이 기술은 반도체 소자의 저항, 정전용량, 인덕턴스 등 전기적 특성을 파악하는 데 사용되며 고장과 정상 칩에서 측정된 특성은 추가 고장 분석에 중요한 단서를 제공할 수 있습니다. 2) PEM-CCD : 광자 방출 현미경 (PEM)이라고도 불리는 방출 현미경 (EMMI)을 사용하여 고 방출..

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반도체 비 파괴 분석 Non-destructive Analysis(NDA)의 종류 반도체 비 파괴 분석의 대표적인 종류로는 OM, UV-OM, 2D X-ray, 3D X-ray, SAT, OP, TDR 등이 있습니다.  그렇다면 각 분석별 개념에 대해 알아볼까요?    반도체 비 파괴 분석별 개념 1) OM : 광학 현미경(OM)은 관심 영역에 비친 가시광선의 굴절과 반사로 인한 2D 강도 대비를 통해 시료 표면의 형태를 표시하는 데 사용됩니다.   해상도는 가시광선(파장 400~700nm)의 경우 입사 파장의 약 절반 수준인 0.2μm이며 이러한 해상도로 인해 최대 배율이 X1000으로 제한되므로 광학 현미경은 샘플 표면 구조의 예비 검사를 제공할 수 있습니다. 2) UV-OM : 형광 투과 실험은 주..