알고싶은 이야기

반도체

반도체 Wire Bonding이란?Chip  내부의 외부 연결단자와 Lead Frame 또는 PCB Frame에 금속선을 연결하는 것으로 Ball bonding과 Wedge Bonding으로 구분되며, 일반적으로 사용하는 방법은 Gold, Cooper를 사용하는 Ball bonding과 Aluminum을 사용하는 Wedge bonding으로 구분됩니다. 기타 제품과 공정의 특수한 요구 조건이 있을 때 Ribbond bonding과 Chip bonding을 적용하기도 합니다.    와이어 본딩은 4가지 중요한 파라미터들의 상호작용으로 이루어지며, 그 파라미터는 Ultrasonic Power, Pressure(Force), Temperature 그리고 Time입니다. Bond의 형태- Ball Bond : ..

반도체

주요 재료 (1) - Lead Frame (리드 프레임)리드 프레임은 소자를 구성하는 핵심 부품으로써 반도체 칩과 기판의 전기적 신호를 절단하고, 외부의 습기, 충격 등으로부터 칩을 보호하며 지지해 주는 역할을 합니다. 리드 프레임은 칩을 외부와 연결하는 다이 패드(Die Pad)와 리드(Lead)로 구성되며 웨이퍼로부터 잘린 칩들은 금(Au) 선으로 연결되어 단자에 물리적으로 접촉하게 됩니다. 우수한 화학적 접착성 및 열 확장성, 전도성이 특징으로 가장 많이 사용되는 합금 비율은, Alloy 42(Fe 58%, Ni 41%, Mn 0.8%, Co 0.5%)이며 접착성과 열 확장성이 우수하고, 대체로 구조가 상대적으로 간단한 일반 패키지 구조에 사용되는 출력 단자 수가 적은 소자에 적합합니다. 특히 저렴..

반도체

Wafer sawing 주요 파라미터- Blade DressingBlade dressing의 목적은 스핀들을 둥글게 만들기 위함으로 최적화된 블레이드 상태를 얻기 위해 블레이드 교체 후 수행됩니다.   - Spindle R.P.M (분당 회전수)회전수 가능 범위는 1,000 ~60,000/min, 입력범위는 20,000 ~ 60,000/min, 유리의 경우 20,000 이하입니다. R.P.M이 너무 빠르면 cutting 능력도는 올라가나 chipping 불량이 늘어납니다. 최적의 R.P.M 조건을 산출하여 생산, 제조에 적용하는 것이 필요합니다.  - Feed Speed (웨이퍼의 이송 속도, 절단 속도)입력 가능 이송 속도는 0.1 ~ 600mm/s,  표준 이송 속도 30~50mm/sec 입니다.  ..

반도체

웨이퍼 소잉의 목적웨이퍼 소잉의 목적은 블레이드, DI 워터, CO2 버블러, 드레싱 등의 툴과 설비 및 재료를 사용하여 원형 상태의 웨이퍼를 개개의 칩으로 분리시켜 다이 본딩 작업을 용이하게 하는 데 있습니다.   소잉 용어- 블레이드 : 원형의 웨이퍼를 다이 어태치작업에 용이하게 잘게 자르는 원형 칼날로 날에 다이아몬드가 박혀 있습니다.- DI 워터 : 정전기 방지를 위하여 CO2 가스를 혼합한 물입니다.- CO2 버블러 : 소잉 시시 정전기 방지를 위하여 사용하는 CO2 가스를 혼합하는 설비입니다. - 드레싱 : 블레이드를 교환한 후 블레이드면의 안정적인 형태 유지를 위한 최소 스피드에서 최대 스피드로 스텝별 스피드를 증가시키면서 웨이퍼를 절단하는 과정을 말합니다.  웨이퍼 소잉의 방법 1. 스크라..